南京大学-电子科学与工程学院毕业证样本(5)

实验室和研发中心承担了包括国家863子课题、国防武器装备预研基金、IT国际合作、国家自然科学基金、江苏省高技术、支撑计划等数十项课题，取得显著成绩，曾获得教育部科技进步二等奖三次，省科技进步奖一次，日本富士通优秀作业奖，江苏省优秀软件工程等各类奖项10余项。同时所培养学生曾获包括“IBM全球Linux挑战赛金奖”、“Intel杯嵌入式设计大赛一等奖”等在内的多个国际、国家级奖项。

先进器件与信息功能材料实验室

实验室同时隶属于南京微结构国家实验室和江苏省光电信息功能材料重点实验室，主要开展新型宽禁带半导体材料、器件物理与工艺研究。以Ⅲ族氮化物和碳化硅为代表的宽禁带半导体被称为是继硅基材料、砷化镓基材料之后的第三代半导体材料，是发展可见到紫外光电子器件、功率电子器件和微波功率器件的优选材料，具有广阔的技术应用价值，是国际上的研究和开发热点。实验室先后承担国家杰出青年科学基金项目、国家自然科学基金重点项目、国家973课题项目、国家863项目、江苏省基金项目以及地方合作项目等，获得了多项突出进展，得到了国际同行的普遍认可：首先实现和报道了可以在300oC以上工作的AlGaN/GaN异质结高温霍尔器件、InN基表面化学传感器、具有极低暗电流的GaN同质外延紫外探测器等；实现了800V耐压GaN高速整流器件；以及自主研制成功高速碳化硅外延生长设备；并且对GaN基光电器件与功率器件的基本物理问题进行了深入探讨。

实验室享有先进的器件微加工试验线、材料生长与器件测试分析系统、以及工业级的器件模拟仿真环境，并与美国著名测试设备公司Cascade Inc共建了功率电子器件失效分析联合平台。实验室所涉及的研究方向在电力能源转换、环境监测、生物医药、电力电机实时监控、国防预警与跟踪、以及石油矿物开采领域具有重大应用价值。目前，实验室与十余家国际著名研究机构建立有密切合作并联合发表论文，部分单位包括：美国康奈尔(Cornell)大学、加州伯克利(Berkeley)大学、杜克(Duke)大学、佐治亚理工(Gatech)大学、美国再生能源国家实验室(NREL)、美国国家标准局(NIST)；以及德国佛朗霍夫(Fraunhofer)应用物理研究所和日本东北大学等。主要研究方向包括：宽禁带半导体功率电子器件、宽禁带半导体微波功率器件、宽禁带半导体紫外光电器件、新型半导体异质结构材料与器件物理。

微纳集成技术与光电芯片实验室

面向下一代超大规模集成电路与芯片应用，实验室主要从事主流硅基半导体器件的物理信息电子学研究，开发相关主流微电子器件在移动存储、光电信号探测/存储/转换/传输等核心信息电子领域的基于芯片系统的集成应用技术。研究方向包括：基于微电子工业标准制造规范的原型器件的物理结构与电子学设计；基于超级计算机平台(曙光5000)和结合器件结构/材料/工艺三维仿真的全功能模拟；基于芯片系统的应用集成设计、原型器件及集成芯片的工业级标准工艺制造；65 nm及以下半导体器件可靠性研究及对于可靠性的全面测评方案；适于32 nm及以下器件的高K材料物性与匹配工艺技术；以及超高密度光电传感芯片设计、制造与分析。实验室拥有一流的器件与芯片分析测试平台，以及器件仿真设计环境。实验室先后承担国家重大专项课题、国防重大项目、国家973项目课题、国家自然科学基金等多项研究项目，全面合作单位包括中科院微电子所、中芯国际、清华大学等。